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Fairchild/ON Semiconductor FQP58N08
| Artikelnummer: | FQP58N08 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220 |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
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Fairchild/ON Semiconductor FQP58N08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP58N08.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 28.75A, 10V Verlustleistung (max) 146W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57.5A (Tc) FQP58N08 Einzelheiten PDF [English] FQP58N08 PDF - EN.pdf -
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